1、P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0。4V,当栅源的电压差为-0，4V就会使DS导通,如果S为2，8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2，8V如果S为2。导通特性MOS管的重要特性,导通的意义是作为开关,相当于开关闭合，损失特性不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,电流就会被电阻消耗能量。

但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵。NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。PMOS是指n型衬底、p沟道。NMOSPMOS的导通条件是栅极和源极之间的电压(Vgs)大于或等于阈值电压(Vth)。

PMOS是由p型材料构成的金属-氧化物-半导体场效应管。当栅极电压为低电平时(相对于沟道和源漏之间的电压),PMOS管道的导电能力增加,导致电流通过。1PMOS在什么时候导通取决于其栅极电压与源极电压之间的关系。2当PMOS的栅极电压高于源极电压时,PMOS导通。MOS管和三极管不同,是可以反向导通的MOS管有三个脚,栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。

MOS分为N沟道和P沟道两种。MOSFET上的;二是你的MOSFET是N还是P型的,这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地,G接电压控制,接地时截止,接高于地的电压开始导通。EN为低,三极管截止此时PMOS栅极电压为12V,Vsg=24-12=12VVth,PMOS导通,OUT端当然有电压了R2和R1分压了,你把R2拿掉就不会有这个问题EN为低。

1,PMOS管只需记住一条,VGS是负压导通。即可2,我们假设一下电流D入,S出,如果MOS初始状态是截至，也就是S=0,D=Vcc那麼除非你G=负压,才能启动,启动後S=Vcc1。PMOS管缓启动电路的原理是通过控制PMOS管的栅极电压来实现对电路的缓慢启动,从而避免启动时瞬间大电流流过,导致电路元件烧毁的问题。