用什么三极管可以替代国产电子管2CA5B等？哪些三极管可以代替晶体管c2240？可以替代的型号很多:2SC2362K，2SC2014，2SC1845，2SC1708。我能用什么来代替它呢？内置阻尼二极管的型号有:20n120CND、K25T120、G40N150D、5GL40N150D、G4PH50UD、GT40Q321、SQB351JA、GPQ25101、GT8QJ191、15Q101、25Q101、JHT20T120、JHT 20Q120。

LN5R12C的丢失不会对其他组件造成损坏。这是因为这个组件损坏之后，其他组件就不能运行了，所以在这种状态下，你的机器现在已经不服务了，所以其他组件不会损坏。这是有可能的，要看是什么原因造成的损失，要具体情况具体分析。有一些损伤，所以也有一些损失，说明你还是比较正规的。通常会造成伤害，但是你可以选择直接测试。

可更换的型号很多:2SC2362K，2SC2014，2SC1845，2SC1708。更换原理取决于被更换三极管的功能。电路中使用三极管时，并不是三极管的所有参数都用上了，只是用了其中的一部分。所以，替代的首要原则是看功能。比如用于高频小信号放大的三极管，主要看三极管的使用频率，其次是放大倍数；如果用于低频大功率放大，主要取决于晶体管的功率、Uce和(耐压)Ice(最大电流)，其次是晶体管的频率。

12N60C可以代替2N60。2N60为功率场效应晶体管，硅，500V，2A，55W，RDS(on)≤5.1ω，阻尼；12N60C也是功率场效应晶体管，硅，参数600V，12A，51W，RDS(on)0.65ω，阻尼。所以12N60C可以换成2N60。场效应晶体管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在信号源只允许较小电流的情况下，应选择场效应晶体管；场效应管因使用多数载流子导电而被称为单极器件，晶体管因同时使用多数载流子和少数载流子导电而被称为双极器件。场效应管的工作原理，一句话就是“利用流经漏源之间沟道的ID来控制栅极和沟道之间pn结形成的反向偏置的栅极电压”。

13N50为13A，500V MOS晶体管，可以使用相同规格或更大规格如15N50，18N50，20N60。电脑开关电源中的功率晶体管13N50C为N沟道MOS场效应晶体管，主要电参数为Vdss500V，Id13A，RDS (on) max 0.3ω。可以用FDPF13N50N直接替代。它们的参数是一样的，但是序列号不一样。也可以用EUM091R和EUM092R直接代入，参数完全一样。

IGBT电磁炉的功率管可以用FGA25N120代替，因为FGA25N120含有阻尼二极管。更换IGBT功率管时，在最高耐压和最大电流满足要求的情况下，带阻尼二极管的IGBT管可以换成不带阻尼二极管的IGBT管。如果用不带阻尼二极管的IGBT管代替带阻尼二极管的IGBT管，应在新替换管的C极和E极之间焊接一个快速恢复二极管。2000W以下的电磁炉，应选用20A或25A的IGBT管，如20n120cnd或K25T120的灯管，功率大于2000W的，选用最大电流40A的IGBT管，如G40N150D。

内置阻尼二极管的型号有:20n120CND、K25T120、G40N150D、5GL40N150D、G4PH50UD、GT40Q321、SQB351JA、GPQ25101、GT8QJ191、15Q101、25Q101、JHT20T120、JHT 20Q120。

国产管道2CA5B等。A1020是一款PNP功率晶体管、音频放大/开关电路，与C2655互补。参数为VCBO=50V，VEBO = 5V，ICM = 2A，PCM=900MW，HFE=70240，FT = 100mhz，任何与此参数相近的都可以替代，比如国产电子管2CA5B。由于半导体制造工艺的原因，三极管中不可避免的会存在具有一定电容的结电容。三极管是电流放大器，有三个极，集电极C，基极B，发射极E，分为NPN和PNP。

13N50C晶体管可以用EUM091R和EUM092R晶体管代替。13N50C晶体管可以在很小的电流和很低的电压条件下工作，其制造工艺可以很容易地在一个硅片上集成很多场效应晶体管13N50C三极管是通过pn结反向偏置的变化来控制的，从而导致耗尽层扩展的变化。在VGS0的不饱和区，由于过渡层的膨胀不是很大，根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区的一些电子被漏极拉走，即有电流ID从漏极流向源极。

这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道，但电流没有被切断，延伸资料:在制造三极管的时候，有意识的让发射区的多数载流子浓度大于基区，同时把基区做得很薄，严格控制杂质含量。一旦接通电源，由于发射极结为正偏置，发射极区的多数载流子(电子)和基区的多数载流子(空穴)很容易穿过发射极结相互扩散，但由于前者的浓度基区大于后者，所以通过发射极结的电流基本上是电子流，称为发射极电流。