近日，台积电透露了新一代工艺的进展，3nm工艺已经开始量产，2023年放量，有多家客户下单，再下一代的是2nm工艺，台积电CEO重申会在2025年量产。与3nm工艺相比，台积电2nm工艺会有重大技术改进，放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管，后者是面向2nm甚至1nm节点的关键，可以进一步缩小尺寸，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快1015%相同速度下，功耗降低2530%。

游戏过程中温度在6090度之间都是正常的，如果超过90度就要注意散热了。1、把主机尽量放到通风的地方，定期清理显卡PCB板上的灰尘，和风扇周边的灰尘，或者更换风力较大的风扇。2、查看一下显卡核心上面的硅胶是否干了，可以适当的重新涂抹一点硅胶。3、方便的话给机箱内加一个辅助小风扇。在6月1日的AMD产品发布会上，官方正式发布了全新北极星显卡RadeonRX480，据了解，其目标是为了能让大众玩家们都可以体验到VR。

特约撰稿莫大康推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩尔定律快“寿终正寝”的声音已不容置辩，但是14nm的步伐仍按期走来，原因究竟是什么?传统光刻技术与日俱进当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能力，必须采用辅助的两次图形曝光技术。

显然，缩短波长是最主要的，而且方便易行。目前市场的193nmArF光源是首选，再加入浸液式技术等，实际上达到了28nm，几乎已是极限(需要OPC等技术的帮助)。所以Fabless公司NVIDIA的CEO黄仁勋多次呼吁工艺制程在22/20nm时的成本一定相比28nm高。其理由是当工艺尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术(DP)。

FinFET版图勾道是由沟槽式拱形沟槽组成的，沟槽的深度和宽度都有一定的要求，这些沟槽的宽度和深度决定了FinFET的功能和性能。沟槽的宽度必须满足设计要求，沟槽的深度必须满足电子特性要求，此外，FinFET版图勾道还要求拱形沟槽的角度要符合设计要求，以保证FinFET的性能。此外，FinFET版图勾道还要求拱形沟槽的拱度要符合设计要求，以保证FinFET的功能和性能。