继续分享电工学基础第259期，单结晶体管的工作情况。1、调节Rp，使Ve从零逐渐增加，当Ve比较小时，单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B1之间不能导通，呈现很大电阻，当Ve很小时，有一个很小的反向漏电流，随着Ve的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。这一段在图15-19所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。
我们把这个突变点称为峰点P。对应的电压Ve和电流Ie分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip(图15-19)，显然，峰点电压Vp=VbbVd式中Vd为单结晶体管中PN结的正向压降，一般取Vd=0.7伏。在单结晶体管的PN结导通之后，从发射区向基区发射了大量的空穴型载流子，Ie增长很快，E和B1之间变成低阻导通状态，Rb1迅速减小，而E和B1之间的电压Ve也随着下降。
1、电路如下图所示,晶体管导通时Ure=0.7v,β=100,分析Vbb=0,1,2V三种...Vbb0V时，三极管截止，Uo12V；Vbb1V时，Ib（10.7）/5k60uA，Ic100*Ib6mA，Uo12VIcRC121kΩ*6mA6V；Vbb2V时，Ib（20.7）/5k260uA，三极管饱和时Ic12/1k12mA，需要的Ib饱和电流为12mA、100120uA，而此时Ib大于饱和电流，故三极管饱和，Uo0.1V。
2、模拟电路中的uces一般取多少?Uces的值取决于晶体管的导通程度。一般来说，深度饱和时的电压值为0.3V，浅饱和时为0.7V左右，1V基本上可以认为晶体三极管处于放大状态。当然，这些值也与晶体管的类型有关。饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到23V。三极管的饱和区：当Uce较小时，Ic变化较小，即Ib失去了对Ic的控制能力，三极管处于饱和状态。
3、三极管处于放大区的,ubeube的电压为多少?这些问题只有一个才有意义:发射结处于正偏，且电压固定为0.650.7v间,其它的都不固定,截止区指三极管无电流经过,Uec基本为电源电压,Ueb基本0,饱和区是Uec基本0,Ueb大于等于0.7v,这二种一般当开关用的,介于这二者间的就是放大区了.不行啊,还得看书,理论也很重要的,努力吧.。Ube的电压永远是硅管0.7，锗管0.3，因为是PN节正向导通状态。
三极管处于放大区，ube的电压在0.65v0.7v之间。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散。但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。