MOS管在电路设计，常被用来做开关使用，那MOS管的栅极加上拉电阻或下拉电阻，你知道原因吗？而在栅极串联一个电阻，这又是为什么？NMOS管加下拉电阻，PMOS管加上拉电阻，阻值一般为10K，这个阻值大小是个经验值。先讲讲为什么要上拉和下拉：1、上电时给MOS管的G极一个确定的电平，因为CPU的IO为高阻态时，MOS管的G极的状态不确定，不稳定。

MOS管常需要偏置在弱反型区和中反型区，就是未来在相同的偏置电流下获得更高的增益。目前流行的MOS管模型大致可分为两类，本文将详解MOS管模型的类型和NMOS的模型图。说到MOS管的模型，大家应该并不陌生。针对不同的应用和需求，我们要选取相应合适的模型。比如在数字电路中，通常使用简单的开关模型或电阻电容（RC）模型。而在模拟电路中，需要适用于不同偏置条件，不同频率的模型，对于亚微米器件，还要考虑沟道长度调制、速度饱和等短沟道效应。

在IC设计中，第一步往往是手算（handcalculation），而BSIM模型有上百个参数，因而我们再手算时往往会采用简化的模型，其中大家最熟悉的莫过于平方率模型。但平方率模型有两个主要的局限之处，一是难以包括诸多短沟道效应，二是只适用于MOS管偏置在强反型区（stronginversion）时的情况。

如果从Id（ic）VS.vds（vce）输出特性曲线上看：MOS管的可变电阻区对应三极管的饱和区。MOS管的恒流区对应三极管的放大区。另外MOS管的饱和区就是指的它自己的恒流区，一般选择此区域做放大，亦即放大区。模电第4.1.2有详细描述。不能和三极管混为一谈。MOS的恒流对应三极管放大是对的。MOS管实际有4个区，分为截止，可变电阻，恒流，击穿四个区。

但是他们的区与区是不对等的，这个是由于设计的原理就不同。所以你的问题，可变电阻区对应三极管哪个区是无法回答的，因为对不上。MOS管的导通电阻区是三极管完全没有的特性，据我所知有采用MOS管此现象来做电源的。而MOS管的饱和区就出现了一个参数，叫跨导，这个参数确定了我们MOS的放大能力，类似三极管β，只是公式不一样。gm△iD/△Vgs。