开关电源用场效应管和三极管有什么区别？常用的功率开关管大多是三极管，也有一部分是场效应管。FET用在什么电路中？FET和电视电源开关有什么区别？这种mos(绝缘栅场效应晶体管)几乎用于电源场效应晶体管，三极管也可以用作开关晶体管，并不是所有的开关电源都使用这种晶体管，开关电源中的开关晶体管是否为场效应晶体管(主电路中1，三极管频率不高(目前的开关电源频率一般在50K以上)；2、三极管的导通损耗大于MOS管。

分为NPN和PNP。我们仅以NPN晶体管的共发射极放大电路为例来说明晶体管放大电路的基本原理。我们把从基极B流到发射极E的电流称为基极电流Ib；从集电极C流到发射极E的电流称为集电极电流Ic。这两个电流的方向都是从发射极流出的，所以发射极E上用一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用是集电极电流受基极电流控制(假设电源能给集电极提供足够的电流)，基极电流的小变化会引起集电极电流的大变化，变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化是基极电流的β倍，即电流变化被放大β倍，所以我们称β为三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十或几百)。

首先介绍一下场效应晶体管的作用。1.场效应晶体管可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。2.FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器输入级的阻抗变换。3.FET可以用作可变电阻。4.FET可以方便地用作恒流源。5.场效应晶体管可用作电子开关。常用的功率开关管大多是三极管，也有一部分是场效应管。

N沟道MOS晶体管可用作开关电源。有的公司为了节约成本，用三极管，MOS晶体管内阻小损耗小，质量有保证。N沟道MOS晶体管和MOS都可用作开关电源。这种mos(绝缘栅场效应晶体管)几乎用于电源场效应晶体管，三极管也可以用作开关晶体管。并不是所有的开关电源都使用这种晶体管。对于三极管来说，首先开关频率场效应晶体管可以做到50K甚至更高，最高三极管40K，这样频率提高了，功率密度也提高了，这样同样的变压器MOS晶体管可以达到三极管几倍的功率输出。

三极管和FET的应用:1。FET的源极S、栅极G和漏极D分别对应三极管的发射极E、基极B和集电极C，作用相似。2.FET是压控电流器件，其iD受vGS控制，放大系数gm一般较小，所以FET的放大能力较差；三极管是电流控制的电流器件，iC由iB(或iE)控制。3.场效应晶体管的栅极几乎不汲取电流，而三极管的时基总是汲取一定的电流。

4.场效应管由多载流子传导；三极管中有很多载流子和少数载流子，少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响很大，所以场效应管比晶体管有更好的温度稳定性和更强的抗辐射能力。在环境条件(温度等)发生较大变化的情况下。)，应选择场效应管。5.当源极金属和衬底连接在一起时，源极和漏极可以互换使用，特性变化很小；三极管的集电极和发射极互换使用时，其特性差别很大，β值会降低很多。

开关电源中的场管最显著的特点是放大倍数低，工作频率高，开关特性好，饱和压降小，导通电阻低至几毫欧，反向耐压高，一般大于600V，功率损耗和发热量低，从而提高整个电源的效率。场效应晶体管高频比三极管好，稳定性比三极管大，控制方便，内阻可以比三极管小。场效应管受温度影响较小，噪声系数小；缺点是工作频率不够高，输出功率不够大，绝缘栅型容易被感应电流激发。

1，晶体管频率不高(目前开关电源频率一般在50K以上)；2、三极管的导通损耗大于MOS管。其他的就不知道了，普通晶体管和场效应晶体管是本质上不同的电子元件，两者之间的替代似乎没有意义。如何比较电压型和电流型元件？MOS是电压驱动的，比三极管导通电压低，频率高，损耗小，三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件，三极管有消耗，大多用于信号放大电路，场效应管驱动无消耗。