因为MOS晶体管是电压驱动元件，不需要提供太多的驱动电流。spw47n60s5的驱动电流是多少，MOS晶体管的过驱动电压和阈值电压是多少？阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响，0.5微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos减0.8，过驱电压为Vgs减Vth，阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响，0.5微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos减0.8，过驱电压为Vgs减Vth。

把栅源当成几个p的电容，频率越高电流越大。电网上有一个寄生电容。驱动时电流主要给寄生电容充电，关断时电容会对地放电。如果驱动电流的频率是10K，也就是说，电容每秒钟要充电10000次，电容能量E1/2CV的平方，那么驱动功率WE*K和电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就是MOS晶体管静态损耗小的原因。但是，作为开关晶体管，电流与频率成正比。

9N90参数描述型号:9N90封装:TO220特性:大电流MOS晶体管电学参数:9A900V芯片材料:GPP连续二极管正向电流(IS): 9A脉冲二极管正向电流(ISM): 36A二极管直流电压(VSD): 1.4V栅漏电流(IDSS): 10UA反向恢复时间(TRR)

可采用以下方法进行粗略估算:1。检查MOS管的参数，一般有放大倍数。2.根据求出的MOS管的放大倍数，将电流除以放大倍数就可以得到驱动电流。3.如果不能得到MOS管的放大倍数，可以类比参考其他类似电路。如果能知道类似电路的驱动电流，就能大致估算出这个电路的驱动电流。功率除以电压除以灯管数量。无法估计。因为工业标准，

给Qg充电后，MOS开启。但是人家用的是电压元素，所以Qg没有意义。你需要注意的是，电流不要超过司机的驾驶能力。然后剩下的就是用示波器找到合适的参数。需要指出的是，驱动器的输出电流不是电流元件，而是与可变电阻串联的电压元件。电流越大，输出电压越小。所以不要超过。

47A/600伏.三极管驱动电子管，像OCL功放的功率级那样连接，但不需要两个二极管来消除交叉失真；这样可以加快传导和放电的速度。漏极电流ID为47A，VDS600V，RDS0.07。它看起来像一个工业级MOSFET。具体参数可从下载。单片机输出端口驱动的MOS晶体管，可以用自己内置的放大电路驱动。因为MOS晶体管是电压驱动元件，不需要提供太多的驱动电流。

你用示波器(最好是数字示波器)观察流经MOS管的电流最大峰值流量，然后根据这个参数来选择灯管，这样比较靠谱。你的最大电流流过5A，这是平均值，不是峰值。我建议选择至少10A的MOS晶体管。1.是用N通道还是P通道。选择一个好的MOS晶体管器件的第一步是决定是使用N沟道还是P沟道MOS晶体管。在典型的电源应用中，当MOS管接地并且负载连接到主电压时，MOS管构成低压侧开关。

当MOS管接在母线上，负载接地时，使用高压侧开关。这种拓扑通常采用p沟道MOS晶体管，也是出于电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或设备可以承受的最大电压。额定电压越高，设备成本越高。根据实践经验，额定电压应大于主线电压或母线电压。只有这样，我们才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS晶体管而言，需要确定漏极和源极之间能承受的最大电压，即最大VDS。

第一种:可以用下面的公式估算:IgQg/Ton其中:tont3t0 ≈ TD (on) trtd (on): MOS导通延迟时间，从驱动电压上升到10%的时间到VDS下降到其幅度的90%的时间。Tr:上升时间。输出电压VDS从其幅值的90%下降到10%的时间Qg(CEI)(VGS)或QgQgs Qgd Qod(可在数据表中找到)第二种:(第一种变型)米勒效应时间(开关时间)ton/off Qgd/ig；Ig阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响。0.5微米工艺水平的一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos减0.8，过驱电压为Vgs减Vth。正常驱动1015，不要超过20V。开启的阈值电压是45V。最好关闭5到10V，或者保持低电阻。阈值电压受对比偏置效应，即衬底偏置电势的影响。0.5微米工艺水平下一阶mosspice模型的标准阈值电压为nmos0.7vpmos减0.8，过驱电压为Vgs减Vth。

此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，阈值电压是MOSFET的重要参数之一。当背栅和源极连接在一起时，MOS晶体管的阈值电压等于形成沟道所需的栅-源偏置电压，如果栅极-源极偏置电压小于阈值电压，则不存在沟道。扩展数据:PMOS的工作方式类似于NMOS，因为PMOS是N型硅衬底，大部分载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区掺杂类型是P型。