是什么影响了G80N60的输出？非常适合用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。漏极和源极(形成沟道的地方)之间的P型区(包括P和P区)称为子区，如何影响IGBT(Insulated Gate Bipolar Translator)，绝缘栅双极型功率晶体管，是由BJT (bipolar transistor)和MOS(Insulated Gate field effect transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件。

IGBT(绝缘栅双极晶体管)是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的全控电压驱动型功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高、GTR导通压降小的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1示出了N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N区称为源区，附着其上的电极称为源极。n区被称为漏区，器件的控制区是栅极区，附着其上的电极称为栅极。沟道形成在栅极区域的边界附近，漏极和源极(形成沟道的地方)之间的P型区(包括P和P区)称为子区。