FET驱动和igbt驱动一样吗？igbt的驱动力有多大？驱动电流大约是2A。一般驱动电压为15V，用户在测试IGBT驱动的带保护功能的驱动器和驱动板时，如果要测试正常的静态输出波形(无主电源)，需要注意以下几点:1 .如果电路中接了功率管IGBT或MOSFET，加上驱动电源和PWM输入信号，在输出端可以用示波器看到相应的输出信号。
IGBT是一个英文单词，中文意思是绝缘的栅极双极晶体管。从功能上讲，IGBT是一种电路开关，具有电压可控、饱和压降小、耐压高的优点。用于电压几十到几百伏，电流几十到几百安培的高压中。此外，IGBT不需要机械按钮，它是由电脑控制的。因此，借助IGBT的开关，我们可以设计一种电路，将电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或将各种电变成所需频率的交流电，供负载使用。
IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分产品都是这类模块化产品，IGBT一般指IGBT模块；随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越普遍；IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。IGBT作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备等领域。
IGBT，绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor)是由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高、GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大。MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。
IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和续流二极管芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源和其他设备。扩展数据IGBT的触发和关断需要在其栅极和基极之间加上直流电压和负电压，栅极电压可以由不同的驱动电路产生。在选择这些驱动电路时，必须基于以下参数:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、固体电阻的要求和电源的情况。
功能:逆变器中IGBT的基本功能是作为高速无触点电子开关。工作原理:利用IGBT的开关原理和控制电路给出适当的导通和关断信号，IGBT可以根据你的控制信号将DC转换成交流电，DC转换成交流电后电压会降低。比如列车供电系统的600V DC是由380V交流电整流形成的，IGBT逆变驱动板的作用就是还原这个过程。
IGBT模块是一种模块化的半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和二极管芯片(二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源和其他设备。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分产品都是这类模块化产品，IGBT一般指IGBT模块；随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越普遍。
IGBT(绝缘双极晶体管)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高、GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。输出特性和转移特性:IGBT的伏安特性是指以栅压VGE为参数变量时，集电极电流IC和集电极电压VCE的关系曲线。IGBT的伏安特性类似于BJT的输出特性，也可以分为三个部分:饱和区I、放大区II和击穿区III。作为开关器件，IGBT稳态时主要工作在饱和导通区。
从图1可以看出，IGBT具有P/N/P/N的四层结构，可以认为IGBT由一个MOSFET和一个PNP晶体管组成，PNP晶体管由栅极控制的MOSFET驱动。它也可以看作是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。以图1为例，分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中，当栅极G与发射极E短路并与正电压连接而集电极与负电压连接时，器件处于反向截止状态。
当栅极G与发射极E短路，集电极C施加相对于栅极的正电压时，结J1和JBOY3乐队正向偏置，结J2反向偏置，因此电流仍然不能导通，电压主要由反向偏置的结J2承担。此时，IGBT正处于向前关闭状态。PT IGBT因为缓冲层的存在而牺牲反向阻断特性，具有更好的正向阻断特性，而NPT IGBT具有更好的正向阻断特性。当向集电极C施加正电压并且向栅极G和发射极E施加的电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道导通，并且器件进入正向导通状态。
从图1可以看出，IGBT具有P/N/P/N的四层结构，可以认为IGBT由一个MOSFET和一个PNP晶体管组成，PNP晶体管由栅极控制的MOSFET驱动。它也可以看作是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。以图1为例，分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中，当栅极G与发射极E短路并与正电压连接而集电极与负电压连接时，器件处于反向截止状态。
当栅极G与发射极E短路，集电极C施加相对于栅极的正电压时，结J1和JBOY3乐队正向偏置，结J2反向偏置，因此电流仍然不能导通，电压主要由反向偏置的结J2承担。此时，IGBT正处于向前关闭状态。PT IGBT因为缓冲层的存在而牺牲反向阻断特性，具有更好的正向阻断特性，而NPT IGBT具有更好的正向阻断特性。当向集电极C施加正电压并且向栅极G和发射极E施加的电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道导通，并且器件进入正向导通状态。
基本上igbt经常用在大功率高干扰的地方。FET更精确，但功率不可能那么高。有点不一样。虽然都是电压驱动，但方法一般都不一样。比如可控硅一般都是脉冲驱动开启正脉冲或者脉冲串关零。还有全控的可控硅整流器，但原理是一样的。igbt由正负电平驱动关断。为了可靠关断，一般采用10v。希望能帮到你。不，FET是mosfet。
瞬时驱动电流约为2A。一般驱动电压为15V，截止电压为0V或5V。1 15V最大瞬时电流2A；15V正常工作时500mA大，IGBT是压控的，一般电流不大。之所以需要瞬间电流大，是因为上升沿可以满足需求。上升沿瞬间变化，要求电压有足够的容量驱动，否则开关时间会拉长，不能正常工作。25V全用。
对于带保护功能的驱动器和驱动板，如果要测试正常的静态输出波形(无主电源)，用户需要注意以下几点:1。如果电路中已经接入了功率管IGBT或MOSFET，加上驱动电源和PWM输入信号，在输出端可以用示波器看到相应的输出信号。2，如果没有接功率管，只是做一个输出测试，那么你必须将功率管的集电极和发射极(或者漏极和源极)短路。
IGBT在应用中要解决的主要问题是如何在过流、短路和过压的情况下保护IGBT。过流故障通常需要稍长一点的时间使电源过热，所以它的保护由主控板解决，过压通常发生在IGBT关断时，较大的di/dt在寄生电感上产生较高的电压，需要用缓冲电路箝位，或者适当降低关断率。