三、总结：1.截止区两断截止，无导电沟道UgsUgsUgd小于Ugs(th)2.电阻区两通阻，沟道开启，如输出曲线的可变电阻区，虽然称为可变电阻区，只要Ugs电压不变，沟道电阻不变对应不同Ugs，导电沟道有不同的电阻，所以称为可变电阻区。3.预夹断导电沟道开始预夹断，如输出曲线的预夹断轨迹4.恒流区漏极导电沟道夹断，源极导电沟道开通，如输出曲线恒流区。

沟道夹断 region实际上是载流子耗尽的区域，沿着沟道的方向有一个电场，所以载流子只要到达夹断region的边缘，就很容易被扫走/123。因此，它不仅可以阻止载体，还可以方便载体的通过。因此，在沟道 夹断之后，器件的输出电流达到饱和，即达到最大值。因为电子在到达耗尽层边缘后会因为电场而被收集到漏极端。因为沟道 was 夹断之后，继续提高漏源电压(漏极接正端)会使漏极和衬底附近的耗尽层变宽，导致夹断点逐渐向源极端移动，漏极端产生的电场会收敛。

如果DS之间不加电压，GS和GD的电压相等，因为SD是连在一起的。GS和GD之间至少要维持夹断的电压才能保证沟道的存在。当D点电位升高，使G点电位仅比D点高夹断时，提高D点电压会使GD小于夹断电压(即导通电压)，产生夹断。由于电势从D到S逐渐下降，所以从D到S的电势。

This沟道No夹断是为了保护它的性能。中国电子元器件官网介绍，n 沟道增强型mos晶体管是一种常见的半导体器件，通过在栅极和源极之间引入沟道来提高电流容量，如果夹断n 沟道增强型mos晶体管，其性能可能会受到很大影响，因为它需要在两个电极之间插入一个新的电极。夹断n 沟道增强型mos晶体管可能导致电流从-1流出。