芯片哥：IGBT作为大功率器件，工程师常用它来作为驱动电机，或者是应用在UPS不间断电源里。有一个问题，IGBT它的栅极控制电路，我们该如何去设计呢?怎么去开发一个电路，控制IGBT的导通和关闭呢？进而控制电机的开启和关停呢？EG3211D这个栅极驱动芯片，或许就是一个不错的解决方案，可以同时控制两个IGBT，而且IGBT的工作电压能承受600V的高。
1、什么是IGBT,其工作的原理是什么?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2、电动汽车制动馈电时igbt反向导通吗你是说制动力回收发电是吧。市场上绝大多数的IGBT都是有反并联二极管的，所以可以说任何时候都不存在IGBT的反向导通的问题；关于IGBT的反并联二极管何时导通，取决于运行象限（四象限运行）和调制比等因素；IGBT在驱动和制动馈电时，工况无本质区别，只是IGBT和反并联二极管导通的时间比不同；。
3、igbt的传输特性是什么?IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似。也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。
IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th）时，IGBT处于关断状态，在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。